国产NB，当国外阉割充电头，国产厂商却在推动充电头全面升级

从便携式设备诞生的第一天起，充电器就是一个让人头痛的问题。

随着人们的电子设备越来越多，这个问题也越来越大，「拖家带口」的充电器大大消弱了便携性。

感谢安卓厂商的努力，借力于「超级快充」的普及，这两年充电器市场终于得到一次全面升级。

如果你最近买过充电器的话，一定会看到过「氮化镓 GaN」，这个听上去充满「量子」和「智商税」味道的词。

氮化镓 GaN 充电器通常具有多个充电接口，提供更大的功率，可同时为多台设备充电，并且体积与普通充电器无差。

这不就是新时代的「万能充」吗？

不过话说话来，售价高好几倍的氮化镓充电器是不是真的有那么神奇呢？还是一种新的智商税？

当我们谈论一个充电器的充电速度，实际上是在谈论它的「禁带宽度」，也叫做「能隙」。

「禁带宽度」越宽，电流越容易通过半导体材料，所以功率越高，充电速度更快。

多年来，传统充电器都使用「硅」这种材料来做集成电路。它的「禁带宽度」是 1.12eV。

氮化镓 GaN 充电器顾名思义就是用氮化镓材料代替硅做集成电路。以前氮化镓常被用于 LED 生产，是紫色激光二极管必不可少的材料。

氮化镓的「禁带宽度」远高于硅，达到 3.4eV。

意味着它的充电速度更快，根据相关调查，GaN 传输电子的效率比硅高 1000 倍。所以我们才能实现 5 分钟充入 50% 的电量。这样的效率也让无线充电不再那么鸡肋。

除了充电速度外，「禁带宽度」的优势还是其他地方体验出来。

充电器的体积与功率是成正比的。因为氮化镓的效率更高，所以电路可以做的更小，让充电器的尺寸进一步缩小。