发现新的半导体激励技术

在固态物理学领域，通过强光场探索基本激发现象是推进材料性质发展的基石。二维(2D)材料的出现开启了半导体应用的新时代，涵盖了从光电到声子器件的广泛应用。在这些材料中，二硒化钨（WSe2）作为一种层状二维半导体，展现出巨大的潜力。

本文探讨了这一领域的最新突破：二维半导体WSe2中相干光学声子的太赫兹和频激发。这一发现发表在《应用物理快报》上，为开发新方法来控制WSe2中的声子铺平了道路。

声子是晶格内原子振荡的量子化模式，而光学声子对应于可以直接由光激发的这些振荡。当光与材料相互作用时，能量可以传递给晶格，产生相干声子——都是同相的集体原子振荡。这些声子在材料的热和电性质中起着关键作用，影响热容、热导率和电子-声子相互作用。在像WSe2这样的半导体中，对这些声子的操控可以导致在量子水平上控制材料属性。

传统上，这些声子是使用红外或可见光范围内的激光脉冲激发的。太赫兹辐射位于电磁波谱的微波和红外区域之间，它具有独特的特性，使它在操纵材料时变得有趣。然而，直接用太赫兹辐射激发相干光学声子具有挑战性，因为太赫兹光子和声子本身之间存在很大的能量失配。